STL100N10F7 与 BSC070N10NS3 G 区别
| 型号 | STL100N10F7 | BSC070N10NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STL100N10F7 | A-BSC070N10NS3 G |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7mΩ@50A,10V |
| 上升时间 | - | 10ns |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 114W |
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 36S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 29ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | PG-TDSON-8-1 |
| 连续漏极电流Id | - | 90A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
|
AON6220 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AON6220 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V |
￥3.124
|
557 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AON6284A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 80V 20V 48A 56W 6.5mΩ@10V |
￥3.8462
|
138 | 对比 | ||||||||||||
|
IRFH5010TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
BSC070N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 90A 7mΩ@50A,10V ±20V 114W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
